華為mate60 pro 發(fā)布了，9000s 芯片神秘量產(chǎn)，“卡脖子技術”之光刻膠，到底卡在哪里？之三
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光刻膠的分類方式
光刻膠的分類方式多樣化，總體來說遵循三大分類方式：
- 按化學反應原理和顯影原理不同，可分為正性光刻膠與負性光刻膠；
- 按原材料化學結構不同，可分為光聚合型、光分解型、光交聯(lián)型和化學方大型；
- 按下游應用領域不同，可分為PCB光刻膠，面板（LCD）光刻膠、半導體光刻膠以及其它光刻膠。
正性光刻膠與負性光刻膠
這一分類主要依據(jù)的是光照后顯影時與顯影液產(chǎn)生的化學反應，最終形成的圖形與掩模版圖形的對應關系。
- 正性光刻膠的曝光部分溶于顯影劑，在蝕刻過程中光照到的區(qū)域會被等離子化氣體蝕刻去除，最終留下的圖樣是曝光工序中光線所沒有照到的區(qū)域，與掩膜版上的圖形相同。
- 負性光刻膠與正性光刻膠相反，其曝光部分不溶解于顯影劑，未被光照的區(qū)域會被去除，顯影時形成的圖形與掩膜版相反。
正膠與負膠兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，但性能上存在差異。從發(fā)展看，負膠最早應用于光刻工藝中，且有更耐腐蝕的優(yōu)點。然而由于顯影時易變形和膨脹，導致負膠在最為關鍵的分辨率方面性能不佳，不能用于先進制程的生產(chǎn)。
光聚合型、光分解型、光交聯(lián)型和化學放大型
該分類方法依據(jù)的是原材料中，感光樹脂的化學結構。其中的光聚合型和光分解性主要應用于正性光刻膠，而光交聯(lián)型則是典型的負性光刻膠?；瘜W放大型則是目前最為先進的類型，廣泛的應用于先進制程。
PCB光刻膠、LCD光刻膠、半導體光刻膠
這一分類依照的是光刻膠的應用領域，同時也是知名度最高的一種標準。
三種主要光刻膠中，PCB（印刷電路板，Printed circuit board）光刻膠最為低端，同時也是國產(chǎn)化率最高的領域，占PCB制造成本的3%~5%。可分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠與光成像阻焊油墨。
憑借我國在勞動力和資源等方面的優(yōu)勢，21世紀以來，PCB產(chǎn)業(yè)開始向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，國內(nèi)廠商掌握了生產(chǎn)PCB上游關鍵材料的核心技術，在產(chǎn)能與成本上均有很強競爭力。數(shù)據(jù)顯示，2019年全球PCB產(chǎn)值約637億美元，我國PCB市場規(guī)模達到329.4億美元，占全球市場的份額超過50%，是最大的PCB生產(chǎn)國。
光刻工藝也是液晶面板制造的核心工藝，因此LCD光刻膠，也就是面板（Liquid Crystal Display）光刻膠同樣是產(chǎn)業(yè)核心耗材。彩色濾光片是液晶顯示器實現(xiàn)彩色顯示的關鍵器件，占面板成本的14%~16%，其生產(chǎn)成本直接影響到液晶顯示器產(chǎn)品的售價和競爭力；彩色光刻膠和黑色光刻膠是制備彩色濾光片的核心材料，在彩色濾光片材料成本中，彩色光刻膠和黑色光刻膠在整體成本中占比約27%[5]。
然而與半導體光刻膠類似，我國在面板光刻膠領域的國產(chǎn)化率同樣不高，產(chǎn)能主要集中在相對低端的觸摸屏光刻膠領域。附加值更高的彩色及黑色光刻膠，目前的市場被日韓廠商壟斷。以需求最多的彩色光刻膠為例，東京應化、LG化學、東洋油墨、住友化學、三菱化學、奇美等日本、韓國和中國臺灣企業(yè)占據(jù)了90%以上的市場份額，我國自主供應能力同樣不強。
在半導體領域，光刻工藝是最為核心、最為重要的加工環(huán)節(jié)，其成本約為整個芯片制造工藝的30%，耗時約占整個芯片工藝的40%~50%。而作為這一工藝的核心介質(zhì)，半導體光刻膠的質(zhì)量和性能是影響芯片性能、成品率及可靠性的關鍵因素，對整體光刻工藝有著至關重要的影響。
半導體光刻膠隨著市場對半導體產(chǎn)品小型化、功能多樣化的要求，而不斷通過縮短曝光波長提高極限分辨率，從而適配不斷發(fā)展的光刻工藝。
根據(jù)曝光波長不同，半導體光刻膠可進一步分為普通寬普光刻膠、g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、以及最先進的 EUV(<13.5nm)光刻膠。
其中，ArF光刻機涉及干法和浸沒式兩種工藝（區(qū)別在于鏡頭和光刻膠之間的介質(zhì)是空氣還是液體），ArF光刻膠也對應分為干法和浸沒式兩類。EUV光刻膠則是制造難度最高的產(chǎn)品，也是7nm及以下制程芯片加工過程中的核心原材料。
可能有的讀者也會見到DUV，即深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography）這一名稱，它指的是160~280nm的曝光波長，涵蓋EUV前的一整代技術，目前在光刻工藝上指的就是KrF和ArF。
除了上述標準外，還有一種被稱作F2，曝光波長為157nm的技術規(guī)格，但卻慘遭淘汰，未能實現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)。主要是因這一規(guī)格在發(fā)展過程中被ArF正面擊潰，背后涉及的是半導體行業(yè)最為重大的一次路線分歧，其結果塑造了我們?nèi)缃窨吹降陌雽w加工業(yè)秩序。
當時以尼康、佳能為首的光刻機制造商試圖主推157nm光源的F2規(guī)格，可提高20%左右的分辨率，但該路線有兩個致命缺陷：
- 鏡組使用的光學材料在157nm時均為高吸收態(tài)，吸收激光輻射后升溫膨脹，產(chǎn)生形變造成球面像差。因此必須使用CaF2制造鏡組。然而 CaF2鏡組使用壽命短，且核心技術在尼康手中，產(chǎn)能較低，無法滿足大規(guī)模應用的要求。
- 由于ArF的使用的光刻膠在157nm均有強吸收，光刻膠需要重新進行開發(fā)，投入產(chǎn)出比不高。
與此同時，臺積電工程師林本堅提出了基于ArF光源的浸沒式方案，即將鏡頭和光刻膠之間的介質(zhì)由空氣改成液體。借由這一方案，臺積電得以將ArF193nm的曝光波長經(jīng)過折射后，等效波長可實現(xiàn)134nm，通過改良現(xiàn)有技術在分辨率上反超了F2路線。同時由于這一方案是改造升級現(xiàn)有設備，在性價比方面有著碾壓性的優(yōu)勢。更糟糕的是，F(xiàn)2無法透水，這導致其不能兼容浸沒式技術[6]。
第一時間響應臺積電提議的正是阿斯麥（ASML），后者在2003年推出了第一臺浸沒式光刻機樣機，成功搶占先機。而當尼康在2006年推出浸沒式光刻機時，大勢已去。最終，阿斯麥在2006年超越尼康成為光刻機龍頭，確定了其在深紫外線時代的統(tǒng)治地位。
除了上述三大類光刻膠外，還有CCD攝像頭彩色濾光片的彩色光刻膠、MEMS光刻膠、觸摸屏透明光刻膠、生物芯片光刻膠、薄膜磁頭光刻膠等更加多樣化的類型。
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